產(chǎn)品詳情
簡單介紹：
STP-XA2703C 渦輪泵為高真空到 2300 sccm 制程流的制程范圍內(nèi)提供高性能，并提高氣體的吞吐量。
此泵基于新的平臺(tái)設(shè)計(jì)，提供功能以改善熱管理，從而增強(qiáng)在嚴(yán)苛制程中的性能，提高大制程流能力，并減少腐蝕和沉積的影響。
其出色的性能既適用于溫和的應(yīng)用環(huán)境，也適用于嚴(yán)苛的環(huán)境，例如半導(dǎo)體刻蝕、注入、光刻和 LCD 制程。
詳情介紹：
概述
STP-XA2703C 渦輪泵為高真空到 2300 sccm 制程流的制程范圍內(nèi)提供高性能，并提高氣體的吞吐量。
此泵基于新的平臺(tái)設(shè)計(jì)，提供功能以改善熱管理，從而增強(qiáng)在嚴(yán)苛制程中的性能，提高大制程流能力，并減少腐蝕和沉積的影響。
其出色的性能既適用于溫和的應(yīng)用環(huán)境，也適用于嚴(yán)苛的環(huán)境，例如半導(dǎo)體刻蝕、注入、光刻和 LCD 制程。
此泵基于新的平臺(tái)設(shè)計(jì)，提供功能以改善熱管理，從而增強(qiáng)在嚴(yán)苛制程中的性能，提高大制程流能力，并減少腐蝕和沉積的影響。
其出色的性能既適用于溫和的應(yīng)用環(huán)境，也適用于嚴(yán)苛的環(huán)境，例如半導(dǎo)體刻蝕、注入、光刻和 LCD 制程。
應(yīng)用
- 金屬（鋁）、鎢和電介質(zhì)（氧化物）以及多晶硅等離子刻蝕（氯化物、氟化物和溴化物）
- 電子回旋共振 (ECR) 刻蝕
- 薄膜沉積 CVD、PECVD、ECRCVD、MOCVD
- 濺射
- 離子注入源，射束線泵送端點(diǎn)站
- MBE
- 擴(kuò)散
- 光致抗蝕劑脫模
- 晶體/晶膜生長
- 晶片檢查
- 負(fù)載鎖真空腔
- 科學(xué)儀器：表面分析、質(zhì)譜分析、電子顯微鏡
- 高能物理：射束線、加速器
- 放射線應(yīng)用：融合系統(tǒng)、回旋
功能和優(yōu)勢
的轉(zhuǎn)子設(shè)計(jì)
-
增強(qiáng)的 H2、N2 和 Ar 性能
-
改進(jìn)了在高真空到 2300 sccm 制程壓力范圍內(nèi)的性能
-
免維護(hù)
-
無污染
-
低振動(dòng)
-
獲得的轉(zhuǎn)矩減少機(jī)械裝置
-
高溫 TMS 能力
-
低沉積
-
內(nèi)置冷卻機(jī)械裝置
-
更高的氣體吞吐量（加熱和未加熱）
-
延長壽命
-
可用于嚴(yán)苛制程
- 符合 SEMI®，具有 CE 標(biāo)記，列于 UL 中
數(shù)據(jù)
| 入口法蘭 | VG250 |
| 抽速 |
|
| N2 | 2650 ls-1 |
| H2 | 2050 ls-1 |
| 壓縮比 |
|
| N2 | >108 |
| H2 | >6 x 103 |
| 極限壓力 | 10-7 Pa |
| 大允許前級(jí)壓力 | 266 Pa |
| 大允許氣體流量 |
|
| N2（水冷卻） | 2300 sccm |
|
|
(3.8 Pam3s-1) |
| Ar（水冷卻） | 1900 sccm |
|
|
(3.2 Pam3s-1) |
| 額定速度 | 27500 rpm |
| 啟動(dòng)時(shí)間 | 8 min |
| 固定位置 | 任何方向 |
| 水冷卻流量 | 3 lmin-1 |
| 水冷卻溫度 | 5-25 °C (41-77 °F) |
| 壓力 | 0.3 MPa |
| 的吹掃氣體流量 | 50 sccm (8.4 x 10-2 Pam3s-1) |
| 輸入電壓 | 200 至 240 V 交流(± 10) |
| 功耗 | 1.5 kVA |
| 泵重量 | 75 kg (165 lb) |
| 控制器重量 | 12 kg (26.4 lb) |
